一种三元铜基化合物半导体光电极、无偏压太阳光分解水制氢产氧器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种三元铜基化合物半导体光电极、无偏压太阳光分解水制氢产氧器件及其制备方法，该光电极采用三元铜基化合物半导体光电极，其吸收层为三元铜基化合物半导体薄膜，具有带隙合适、光吸收系数高、元素储量丰富、无毒和成本低等优点，且本发明的三元铜基吸收层采用喷雾热解法制备获得，制备而成的光电极开启电压高；且本发明光阳极选用施加相对于可逆氢电位0.2～0.5V的偏压时可氧化水的半导体材料，将三元铜基化合物半导体光电极和上述光阳极相结合，制备成一种无需外加偏压的太阳光分解水制氢产氧器件。实现了真正意义上的无需外加电能的光解水制氢器件，并且该光阴极和光阴极可根据实际的封装需求，灵活选择不同的封装方式。

申请人共 1 家

• 1.华南师范大学

IPC 分类号共 4 项