铂道PGMtao
发明专利已失效共性支撑与服务

一种控制氢气流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

CN104233461A 申请号 CN201410349230.9

公开号：CN104233461A申请号：CN201410349230.9申请日：2014-07-22公开日：2014-12-24公开年：2014IPC 分区：FMZL产业链环节：共性支撑与服务视图：氢能核心

摘要

本发明涉及一种控制氢气流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；（3）打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；（4）当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4；将高纯N2用作N型掺杂源通入反应室中。

申请人共 1 家

  • 1.西安电子科技大学

IPC 分类号共 2 项

C30B25/16(2006.01)C30B29/36(2006.01)

同环节专利