掺杂的纳米碳化硅及其在氢燃料电池中的应用

摘要

本发明提供了一种掺杂的纳米碳化硅，所述掺杂的纳米碳化硅的化学结构式为(Si,M)xC1‑x，015～1023cm‑3浓度的缺陷或复合缺陷，能吸附氢气并氧化氢产生质子并释放电子或称解离氢气为质子和电子，所述掺杂的纳米碳化硅也可吸附氧气并将氧气活化成轴向氧原子态；本发明还提供该掺杂的纳米碳化硅在氢燃料电池的应用，利用该掺杂的纳米碳化硅可制作氢燃料电池的阳极和阴极，组成氢燃料电池。掺杂的纳米碳化硅具有的空位、掺杂原子以及位错缺陷等可以对于所吸附的氢气分解为原子态反应进行催化，促使电子与质子在碳化硅上面解离，质子可在垂直碳化硅层中漂移、扩散、嵌入、传导和透射，大大提升解离氢原子态为质子和电子的效率。

申请人共 1 家

• 1.武汉楚能电子有限公司

IPC 分类号共 2 项